IBM在Hot Chips大会中公布了即将发布的Power7芯片的规格和相关的Power服务器系统的详细情况。

去年秋天该公司证实，其 Power7芯片跨度将多达8个内核，并使用45纳米制造工艺，芯片铸造则由IBM纽约的East Fishkill工厂负责。7月时，又揭开了Power7的一部面纱，它说，他们可能会推出来四，六，或者8个内核的芯片。

对那些已经在用着Power6或者Power6+系统的客户们来说这次Power7的发布将显得十分重要。IBM方面指出Power7将在2010年初发布，并主要应用于Power 570和Power 595两款服务器系统中。

这款芯片正如之前报道过的，确实采用了嵌入式动态随机存储器技术（embedded DRAM，简称eDRAM），它主要用于三级缓存通道的改善问题上面。大约32M的eDRAM超过了人们之前的预期，大约是现在技术的2倍左右。并且在567平方毫米的芯片上面，IBM植入了12亿个晶体管。

在芯片工艺上面，IBM将采用45纳米铜/SOI工艺，IBM Power系列首席工程师Ron Kalla在会议中向大家介绍道，通过植入12亿个晶体管的方式使它能够达到27亿个晶体管所能达到的计算能力。

每个Power7芯片拥有12个执行单元：2个定点单元，2个存储单元，4个双精度浮点单元，1个矢量单元，和一个十进制浮点单元。

Power7的内部核心还可以支持外部程序调用，可与前代的Power6和Power6+相互兼容。其一级指令高速数据缓存存储器为32KB。每颗核心可以并行多达4个的虚拟线程任务，并与256KB的二级缓存紧密耦合在一起。

eDRAM中的每4MB的L3缓存部分都是附属于8颗核心的。这个3级缓存很明显不够负载整个芯片的主内存，但是Power7拥有双通道DDR3内存控制器，这样一来，每个芯片的带宽就可以达到100GB每秒了。

本次即将发布的Power7系统还将采用升级后的SMP集群技术，将比前代的Power5和6具有更强的扩展性，未来也将用于IBM AIX和OS/400服务器的高端产品线。

IBM计划将Power7服务器系统提升到32路，这也是前代Power595系统的一个大的扩展，配备Power7的系统将拥有前代系统的4倍核心和8倍的线程。