● 集中精力于28nm工艺

为在技术方面有所提高，GLOBALFOUNDRIES将集中发展28nm工艺。相比40nm工艺 ，28nm 的Gate First（先栅极）可使集成密度增加两倍，速度提升50%，转换器和能源皆减少50%。此技术还将继续结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）。28nm工艺有望在2011年第二季度对外进行测试。

另一方面，GLOBALFOUNDRIES将于2011年期间大规模量产32nm工艺。AMD的Llano将采用GLOBALFOUNDRIES 32nm工艺制造，Llano是拥有四核x86 CPU、支持DirectX 11且集成了GPU的APU产品。此外，三星将首次采用High-K金属栅极技术发布SoC产品。

最近，28nm工艺受到了越来越多的关注，移动产品市场的不断扩大是其中的一个重要因素。Grose表示：“近几年，3G网络用户急剧增长，网络视频的普及增加了对通信量的需求。要想在移动环境中实现网络视频功能，就必须保证高性能、低功耗且电池寿命长等特性，而28nm工艺可实现客户期待的这些特性。”

而且GLOBALFOUNDRIES还将与Common Platform Alliance成员企业IBM、三星、意法半导体合作，在2011年期间实现28nm工艺制造工厂同步的目标。采用28nm工艺的客户将可获得大批量且灵活生产的益处。

此外，预计移动设备未来还将大幅增长，GLOBALFOUNDRIES为此加强了与ARM的战略合作，推出了业界首颗28nm 工艺的Cortex-A9处理器。其功耗最多可减少30%，待机模式下的电池寿命可延长一倍，且多任务处理和图形性能也得到了大幅度的提升。此外，基于Cortex-A9架构的SoC处理器也正处开发中，其双核宏的主频范围为10MHz～2.5GHz。

 

 ● 2011年扩大投资 发展20nmEUV光刻技术

GLOBALFOUNDRIES 2011年的计划投资金额将增至54亿美元，相当于2010年的两倍。其投资重点将放在200mm晶圆生产线，计划致力于MEMS元件（压力传感器和加速度传感器及回速器）的生产。投资还计划用于前面所述的，扩大Fab 1工厂产能、扩建Fab 8以及实现阿布扎比技术集群区计划。

在开发实用的28nm工艺同时，GLOBALFOUNDRIES还将着手22/20nm工艺的基础研究。此外，28nm工艺采用了Gate First技术，而20nm工艺将采用Gate Last（后栅极）技术结合HKMG（High-K绝缘层+金属栅极）的方式。

在 MEMS方面，市场目前主要以150mm晶圆生产为主，通过采用200mm晶圆可满足未来的大量需求。大型无晶圆厂MEMS企业对此也可能非常期待。

GLOBALFOUNDRIES还将研发先进的封装技术，改善3D堆叠技术成本并提高其性能。

随着半导体制造业内重要的光刻技术日益微细化，GLOBALFOUNDRIES将进一步研发EUV（Extreme Ultraviolet：超紫外）光刻技术，Fab 8工厂计划在2012年下半年导入此技术，2014年到2015年期间开始投入量产。此导入方式省略了前期开发的过程，可达到早期直接使用的目的。